RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
40
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
18.6
Скорость записи, Гб/сек
8.3
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
3756
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link