Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Средняя оценка

Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Сообщить об ошибке

Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

Причины выбрать
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 40

Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.6 13.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.0 8.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 23
Скорость чтения, Гб/сек

13.6 16.6
Скорость записи, Гб/сек

8.3 13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2035 2548

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Kingston 9905630-048.A00G 16GB

Kingston 9905630-048.A00G 16GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N

модули RAM

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston KHX2133C14/8G 8GB

Kingston KHX2133C14/8G 8GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB

Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Kingston 9905734-063.A00G 32GB

Kingston 9905734-063.A00G 32GB

модули RAM

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB

Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Kingston 9905744-006.A00G 16GB

Kingston 9905744-006.A00G 16GB

модули RAM