RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
2808
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link