RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
26
Velocità di lettura, GB/s
12.9
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2808
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link