RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 63
    Около 56% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    9.0 left arrow 8.2
    Среднее значение в тестах
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    16.6 left arrow 12.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 12800
    Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 63
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.9 left arrow 16.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.0 left arrow 8.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2112 left arrow 1863

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
модули RAM
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
модули RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
модули RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
модули RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
модули RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
модули RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
модули RAM
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Team Group Inc. 16GB
Team Group Inc. 16GB
модули RAM