RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
69
Около 59% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
6.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
12.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
69
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
1598
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link