RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3246
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link