RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
18.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1763
3860
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link