RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
50
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.2
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2632
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link