RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
50
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2632
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link