RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
60
Около 53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
2.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
60
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
7.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
2.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
1505
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link