RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
60
Около 53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
2.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
60
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
7.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
2.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
1505
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link