RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Kingston 9965596-019.B01G 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.9
7.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
7.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
1868
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link