RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
42
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.3
12.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
42
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
13.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
2427
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link