RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
8.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
12.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
2633
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link