RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3224
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link