RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
77
Около 64% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
12.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
77
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
1549
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link