RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
14.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
2196
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link