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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
28
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
2196
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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