RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
14.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
2179
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link