RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3296
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link