RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Сравнить
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB против Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Средняя оценка
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.3
6.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
15.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
14900
Около 1.43 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.4
17.0
Скорость записи, Гб/сек
11.3
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
21300
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2696
2598
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link