RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
58
Около -100% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
18.5
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
3676
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link