RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
21.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
19.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
58
Около -176% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
21
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
21.4
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
19.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
4293
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800E1 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.C16FH 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link