RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
21.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
19.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
58
En -176% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
21
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
19.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
4293
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kllisre 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link