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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
68
En -134% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
1,702.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,886.6
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,702.6
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
654
3098
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
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