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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
68
Autour de -134% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
1,702.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,886.6
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,702.6
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
654
3098
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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