RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
58
Около -66% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.0
2,107.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
10.0
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
2068
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link