Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Средняя оценка

Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

58 76

Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения

4 14.9

Среднее значение в тестах

Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB

Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

8.9 2,107.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 76
Скорость чтения, Гб/сек

4,025.3 14.9
Скорость записи, Гб/сек

2,107.0 8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

670 1887

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

модули RAM

Kingston 9905402-665.A00LF 4GB

Kingston 9905402-665.A00LF 4GB

Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB

Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB

Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB

Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

модули RAM