RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
58
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
2,107.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
13.8
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
2443
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link