RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.3
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
40
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
13.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.3
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
2091
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link