RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
40
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
2091
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston KHX2133C11S3L/4G 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link