RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
71
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
62
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1772
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link