RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
58
63
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
63
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
14.7
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
2543
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905403-199.A00LF 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link