RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сравнить
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
37
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
33
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
16.1
Скорость записи, Гб/сек
10.6
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
25600
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2438
2987
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link