RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сравнить
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
37
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
33
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
16.1
Скорость записи, Гб/сек
10.6
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
25600
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2438
2987
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link