RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
58
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.1
2,107.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
12.5
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
1858
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link