RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
58
Около -123% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
13.7
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
2594
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link