RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
58
Около -71% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
16.7
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
2584
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link