RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
45
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.3
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.3
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3149
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGE85F-C8KL9A 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link