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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
45
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
32
读取速度,GB/s
12.3
18.3
写入速度,GB/s
8.0
14.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3149
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
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