RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
58
Около -115% меньшая задержка
Выше скорость записи
5.4
2,107.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
11.2
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
5.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
1774
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link