RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
58
Около -100% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
16.7
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
3076
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link