RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
18.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
58
Около -205% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
19
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
19.8
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
18.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
3543
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link