RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
101
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.3
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
101
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
12.1
Скорость записи, Гб/сек
8.9
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
1382
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link