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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
101
Por volta de 60% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
6.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
101
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
12.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
6.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
1382
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
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Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
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