RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Сравнить
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB против G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17500
17000
Около 1.03% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
52
Около -126% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.6
8.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
19.6
Скорость записи, Гб/сек
8.2
17.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17500
17000
Other
Описание
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2319
4100
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link