RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Сравнить
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB против Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
83
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17500
17000
Около 1.03% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
10.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
83
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.2
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17500
17000
Other
Описание
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2319
1774
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KHX16 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link