RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB против Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Средняя оценка
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
39
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
11.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.7
Скорость записи, Гб/сек
11.9
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2782
3152
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link