RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Сравнить
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB против Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.6
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.2
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
21.6
Скорость записи, Гб/сек
7.6
18.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1809
3890
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link