RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
51
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2951
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link