RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
6.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около -113% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
11.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1218
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSA8GX3M2A1333C9 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link